Dotychczas, monokrystaliczne krzemowe panele słoneczne rozwinęły się szybko zarówno w dziedzinie badań naukowych, jak i industrializacji.

Wśród wielu czynników, które wpływają na ogniwa C-Si, poprawa jakości płytek krzemowych powoduje, że rekombinacja masowa jest coraz mniejsza, a rozwój nowych warstw pasywacyjnych i technologii ich przygotowania znacznie zmniejsza rekombinację powierzchniową. Wśród nich rekombinacja metalowej elektrody i styku C-Si staje się kluczowym czynnikiem wpływającym na wydajność ogniwa i jest uważana za ostatni czynnik ograniczający w pobliżu teoretycznej wydajności granicznej. W celu ograniczenia rekombinacji na styku metalu z C-Si, z jednej strony ogranicza się bezpośrednią powierzchnię styku metalu z C-Si poprzez częściowe otwarcie otworów z tyłu ogniwa (m.in. PERC, PERL, i PERT itp.). Chociaż wydajność konwersji jest równa lub bliska 25%, w tych ogniwach nadal istnieje bezpośredni kontakt między metalem a C-Si, proces otwierania od tyłu jest skomplikowany i spowoduje uszkodzenie materiału krzemowego w otworze.

Ponadto technika miejscowego otwierania powoduje, że nośniki nie tylko zbaczają z toru migracji prostopadłego do powierzchni styku, ale także mogą być stłoczone przy otworze, co prowadzi do utraty współczynnika wypełnienia. Z drugiej strony należy opracować nowe schematy styków, które mogą zapewnić zarówno doskonałą pasywację powierzchni, jak i separację i transport nośników bez potrzeby otworów, tj. Styki pasywacji selektywnej względem nośnika. To rozwiązanie może realizować pasywację całej powierzchni płytki krzemowej (w tym obszaru styku i obszaru bezstyku), a w tym czasie nośniki są transportowane jednowymiarowo między elektrodami na obu końcach, co jest korzystne dla uzyskać wyższy współczynnik wypełnienia, a następnie poprawić efektywność konwersji.